NIR-01-3D型红外探伤测试仪

NIR-01-3D型红外探伤测试仪是采用欧洲CNC工程铝合金材料，其表面都采用了高强度漆面和电氧化工艺保护，系统外框采用高质量工业设计，所有的部件的设计都达到了长期高强度使用及最小维护量的要求，做到绝对的稳定性和耐用性。

技术特点：

■自动化程度更高，测试效果更好

■采用铟镓砷传感器，而非一般厂家采用固定值的模拟摄像管，具有硬件图像校正和计算机参数控制的功能（包括亮度，伽马，积分时间），其灵敏度好，探伤结果与实际情况一致性佳。不需为不同尺寸的硅块设置不同的硬件参数（探伤位置，聚焦点，校准）

■我们的软件系统为不同硅块的表面情况及尺寸提供设置菜单，没有必要在硬件上进行设置（当然我们也可以从硬件上进行设置）。

■光源探照有效同质区域为300×330mm/550mm，我们采用了特殊扩散板材料，保证了在没有图像处理的情况也能确保成像质量。

■测试范围更广

■不仅可以探测标准尺寸的硅块，而且可以探测任何尺寸的硅块，没有光源照射区域限制。

■也可直接对未抛光的硅块进行直接探测。

■寿命更长

■红外照相机３年免费保修或更换的承诺

■我们采用的是独特的含有冷却单元的工业级镀金近红外卤管，保证了光源的持久耐用性，设备已经不采用普通卤管设计，我们提供了强致冷却单元，为设备的正常使用提供了足够的冷却单元，大大延长了仪器的使用寿命。

■所有的部件的设计都达到了长期高强度使用及最小维护量的要求

■即使在高照明的条件下，我们的相机传感器也几乎没有退化的情况。

■有多年在欧洲生产销售应用的经验，产品具有优良的工业应用性。

■检测更快

■检测速度快，自动四面检测< 1分钟,快速两面检测<20秒，一面<5秒

■系统功能强大

■可定制硅块缝合复原功能

■可定制硅块尺寸测试模块

■可根据客户需求进行功能模块定制，包括硅锭晶体生长情况进行工艺分析

■ 可定制在线生产模式

■ 可定制砷化镓磷化铟等其他半导体材料的探伤检测

■ 可定制中文操作系统界面

技术指标：

■ 主要探测指标：裂缝，黑点，夹杂（通常为SiC），隐裂，微晶

■ 硅块电阻率：≥0.5Ohm*Cm（推荐）

■ 检测时间：平均每个硅块小于1分钟，两面小于20秒，一面小于5秒

■ 硅块尺寸：210mmx210mmx420mm

■ 分辨率：320px*256px（最早生产的产品）

640 px *512px（目前市场供应）

1280 px*1024px（2010年12月份批量生产）

2560 px*2048px（行业最高，2011年1-3月份批量生产）

■ 旋转台

■ 采用单轴伺服电机

■ 最大承载量:40kg

■ 具有过流保护以防止损伤和电机烧毁

■ 无步进损失，高分辨率解码机器

■ 红外光源

■ 高强度NIR卤灯，273mm加热波长

■ 功率：230V,1000W

■ 温度：25-60摄氏度

■ 光强可通过软件控制

■ 软件具有过热保护

■ 观测仪

■ 采用红外CCD控温

■ 12位ADC

■ 频率：60Hz和100Hz两个选择

■ 像素间距: 30μm

■ 可手动调节红外镜头